Крок до електроніки нового покоління: дослідження

7 квітня 2026 року на веб-порталі видання «Physica B: Condensed Matter» стало доступним дослідження, співавторкою якого є проректорка з наукової робтоти Бердянського державного педагогічного університету Яна Сичікова.

Про оприлюднення статті «Пористий кремній як сумісний буфер для гетероепітаксії 3C-SiC/Si» пані Яна повідомила на своїй сторінці у Фейсбук.

За її словами, основна проблема тут в «обмеженості» кремнію – основного матеріалу всієї сучасної електроніки. І виявляється вона саме в потужних та високотемпературних приладах, що надважливі для авіації, металургії, енергетики (і атомної, і теплової), видобутку, автомобільної індустрії …

Тобто не тільки для розвитку, а і для підтримки існуючого рівня життя населення.

Ще ближче до повсякденних потреб: «Телефони, комп’ютери та електромобілі стають дедалі потужнішими, але традиційні кремнієві чипи під час роботи на високих потужностях починають перегріватися і втрачати ефективність».

Серед авторів роботи:

  • Андрій Ревенко, Домінік Дулеба,  Роберт П. Джонсон, співробітники Університетського коледжу Дубліна, Ірландія;
  • Яна Сичікова, БДПУ;
  • Марина Конухова та  Анатолій І. Попов, Інститут фізики твердого тіла, Латвійський університет;
  • Nadezda Kongi, Інститут хімії, Тартуський університет, Естонія.

Така міжнародна співпраця конвертувалась у рішення – використання карбіду кремнію. «Він чудово проводить тепло, витримує колосальні напруги та може працювати в екстремальних умовах».

Іще ближче до повсякдення: «це ще один маленький лабораторний крок для масового виробництва електроніки нового покоління: надміцні сенсори, медичні імплантати та потужніша електроніка». Ці результати «розширюють перспективи їх масштабованого застосування у високотемпературних датчиках, MEMS/NEMS-пристроях та силовій мікроелектроніці».

До того ж, рішення науковців «виявилося набагато простіше і дешевше, ніж використовувати дорогі багатошарові альтернативи з рідкісних металів».

Проєкт дослідження фінансувався Міністерством освіти і науки України та мав часткову підтримку проєктом співпраці між Латвією та Україною «Синтез і дослідження нових оптичних матеріалів для новітніх застосувань» LV-UA/2025/12.

«Physica B: Condensed Matter» – журнал, матеріали якого «охоплюють всю фізику конденсованих факторів, включно з теоретичними, обчислювальними та експериментальними дослідженнями». Видання фокусується на дослідженнях наноструктур, наноматеріалів, вивченні оптики, квантових матеріалів тощо.

Стаття доступна за посиланням: https://doi.org/10.1016/j.physb.2026.418626 .

За матеріалами фейсбук-сторінки Яни Сичікової

A step towards new generation electronics: research

On April 7, 2026, a study co-authored by Yana Sychikova, Vice-Rector for Scientific Affairs of Berdyansk State Pedagogical University, became available on the web portal of the publication “Physica B: Condensed Matter”.

Yana Sychikova tall about publication of the article “Porous Silicon as a Compatible Buffer for 3C-SiC/Si Heteroepitaxy” on her Facebook page.

As she said, the main problem here is the “limitation” of silicon – the main material of all modern electronics. And it manifests itself precisely in powerful and high-temperature devices, which are extremely important for aviation, metallurgy, energy (both nuclear and thermal), mining, automotive industry …

That is, not only for development, but also for maintaining the existing standard of living of the population.

Even closer to everyday needs: “Phones, computers and electric cars are becoming more and more powerful, but traditional silicon chips start to overheat and lose efficiency when operating at high power”.

Among the authors of the work:

  • Andriy Revenko, Dominic Duleba, Robert P. Johnson, employees of University College Dublin, Ireland;
  • Yana Sychikova, BSPU;
  • Marina Konukhova and Anatoliy I. Popov, Institute of Solid State Physics, University of Latvia;
  • Nadezda Kongi, Institute of Chemistry, University of Tartu, Estonia.

Such international cooperation was converted into a solution – the use of silicon carbide. “It conducts heat perfectly, withstands enormous voltages and can work in extreme conditions”.

Even closer to everyday life: “this is another small laboratory step towards mass production of next-generation electronics: ultra-rugged sensors, medical implants and more powerful electronics”. These results “expand the prospects for their scalable application in high-temperature sensors, MEMS/NEMS devices and power microelectronics”.

In addition, the scientists’ solution “turned out to be much simpler and cheaper than using expensive multilayer alternatives made of rare metals”.

The research project was funded by the Ministry of Education and Science of Ukraine and partially supported by the Latvian-Ukrainian cooperation project “Synthesis and research of new optical materials for advanced applications” LV-UA/2025/12.

“Physica B: Condensed Matter” is a journal whose materials “cover the entire field of condensed matter physics, including theoretical, computational and experimental studies”. The publication focuses on research into nanostructures, nanomaterials, optics, quantum materials, etc.

The article is available at: https://doi.org/10.1016/j.physb.2026.418626

Based on materials from Yana Sychikova’s Facebook page


Поділитися:

  • Facebook
  • Twitter
  • LiveJournal
  • Print

Залишити відповідь